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符合RoHS标准

BSC088N15LS5

CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G1 是一款高度坚固的 SiC MOSFET，可实现系统性能和可靠性的最佳组合
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BSC088N15LS5
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    87 A
  • QG (typ @4.5V)
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    12 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    8.8 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.06
受到推崇的
OPN
BSC088N15LS5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平 150 V 系列提供与 OptiMOS ™ 5 150 V 产品相同的出色性能，并且仅需 4.5 V 的 Vgs 即可运行。 BSC088N15LS5 具有 8.8/12 mOhm（VGS = 10 V/4.5 V）的超低 RDS(on) 和 21 nC（VGS = 4.5 V）的超低 Qg，采用行业标准 SuperSO8 封装，可在小型轻量级 USB-PD EPR 充电器和适配器应用中实现最佳热管理。

特性

  • 具有竞争力的 RDS(on) 水平
  • 极低的开关损耗
  • 针对 VGS = 4.5 V 进行了全面优化
  • 针对提供 5 V 的 SR 量身定制

产品优势

  • 高效设计
  • 当 VGS
  • 改进热管理
  • 降低系统复杂性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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