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BSC120N12LS G

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OptiMOS ™ 3 个逻辑电平为 120V 的功率 MOSFET 在小型封装中提供低 RDS(on)
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BSC120N12LS G
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    68 A
  • IDpuls max
    274 A
  • Ptot max
    114 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    12 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    14.2 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.71
OPN
BSC120N12LSGATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 3 逻辑电平功率 MOSFET 非常适合充电、适配器和电信应用。得益于低栅极电荷 (Qg)，可在不影响导通损耗的情况下降低开关损耗。逻辑电平 MOSFET 允许在高开关频率下运行，并且由于栅极阈值电压较低，可以直接由微控制器驱动。

特性

  • 小型封装，低 RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 更低输出电荷
  • 逻辑电平兼容性

产品优势

  • 更高功率密度的设计
  • 更高的开关频率
  • 采用 5V 电源减少零件数量
  • 直接由微控制器驱动
降低系统成本

应用

文档

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