现货，推荐
符合RoHS标准

ISC104N12LM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 逻辑电平 120 V，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装

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ISC104N12LM6
ISC104N12LM6
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    63 A
  • IDpuls max
    252 A
  • Ptot max
    94 W
  • QG (typ @4.5V)
    10.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19.6 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    14.1 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    10.4 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    48-72 V
  • 预算价格€/1k
    0.7
推荐的
OPN
ISC104N12LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这是采用 SuperSO8 封装的逻辑电平 120 V MOSFET，导通电阻为 10.4 mOhm。ISC104N12LM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性

  • 特性：RDS(on) 提升 58%
  • FOMg 提升高达 66%
  • Qrr 提升高达 90%
  • FOMoss 提升高达 35%

产品优势

  • 极低的导通电阻
  • 极低的反向恢复电荷
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on)
  • 高雪崩能量额定值
  • 175°C 结温额定值
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • MSL1 级别

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }