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BSC350N20NSFD
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BSC350N20NSFD

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BSC350N20NSFD
BSC350N20NSFD


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • 最高 IDpuls
    140 A
  • 最高 Ptot
    150 W
  • Qgd
    3 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    35 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 RthJC
    1 K/W
  • Rth
    0.6 K/W
  • Special Features
    Fast Diode
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.24

OPN
BSC350N20NSFDATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
OptiMOS ™快速二极管 (FD) 200V、250V 和 300V 针对体二极管硬换向进行了优化。OptiMOS™ FD 系列 MOSFET 是电信、工业电源、D 类音频放大器、电机控制和 DC-AC 逆变器等硬开关应用的完美选择。

特性

  • 提高了硬换向的耐用性
  • 优化了硬开关行为
  • 业界最低的R ds(on)
  • 符合RoHS标准 - 无卤素

产品优势

  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 最高的效率和功率密度
  • 易于设计的产品
文档

设计资源

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