现货,推荐
符合RoHS标准

BSG0813NDI

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BSG0813NDI
BSG0813NDI

商品详情

  • Ciss
    2200 pF, 780 pF
  • Coss
    1300 pF, 390 pF
  • ID (@25°C) max
    50 A, 50 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    2.5 W, 2.5 W
  • QG (typ @4.5V)
    5.6 nC, 15 nC
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    4 mΩ, 1.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4 mΩ, 1.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ, 1.2 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Rth
    4.3 K/W, 2.2 K/W
  • VDS max
    25 V, 25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    Power Block 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N+N
  • 特殊功能
    Monolithically Integrated Schottky-like Diode
  • 预算价格€/1k
    0.73
OPN
BSG0813NDIATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 电源块采用 5.0x6.0mm² 无引线 SMD 封装封装外形,包括同步降压转换器配置中的低侧和高侧 MOSFET。采用这种节省空间的5 x 6 封装取代两个独立的分立封装(如SO8或SuperSO8),OptiMOS™ 5 功率模块可以帮助客户缩小设计尺寸至少 50%。标准化功率封装使客户受益,因为市场上不同的封装数量已降至最低。

特性

  • 最大平均负载电流 50A
  • 源极向下低侧 MOSFET
  • 内部连接低侧和高侧
  • 开尔文连接,实现高效驱动

产品优势

  • DC-DC 转换器的紧凑布局
  • 具有低环路电感的优化布局
  • 良好的热性能

文档

设计资源

开发者社区

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