在产
符合RoHS标准
无铅

BSL806N

适用于汽车应用的双 N 通道小信号 MOSFET 20 V，采用节省空间的 TSOP-6 封装
数据手册
封装

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BSL806N
BSL806N
数据手册

商品详情

  • Ciss
    370 pF
  • Coss
    118 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    2.3 A
  • 最高 IDpuls
    9.3 A
  • 最高 Ptot
    0.5 W
  • 最高 QG (typ @4.5V)
    1.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@1.8V)
    82 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@2.5V)
    57 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    57 mΩ
  • 最高 RthJA
    250 K/W
  • 最高 VDS
    20 V
  • VGS(th) 范围
    0.3 V 至 0.75 V
  • VGS(th)
    0.55 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6 dual
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    N+N
  • 模式
    Enhancement
  • 特殊功能
    Dual
  • 预算价格€/1k
    0.17
推荐的
OPN
BSL806NH6327XTSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TSOP6-6
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP6-6
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的小信号 MOSFET 具有最佳的性价比和小尺寸封装，最适合各种空间受限的应用和电路。由于该产品符合 AEC Q101 汽车标准，因此该 N 沟道 MOSFET 非常适合汽车和其他质量关键产品。

特性

  • 双 N 沟道
  • 超逻辑电平
  • 无铅电镀；符合 RoHS 要求
  • 符合 AEC Q101 要求

产品优势

  • 紧凑型设计
  • 采用 1.8V VGS
  • 环保
  • 符合汽车标准

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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