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停产
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符合RoHS标准
无铅

BSO612CV G

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数据手册
封装

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BSO612CV G
BSO612CV G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    275 pF, 320 pF
  • Coss
    105 pF, 90 pF
  • ID (@25°C) max
    3 A, -2 A
  • ID max
    -2 A, 3 A
  • IDpuls max
    -8 A, 12 A
  • Ptot max
    2 W
  • QG (typ @10V)
    10.3 nC, 10.5 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    120 mΩ, 300 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • VDS max
    -60 V, 60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V, 3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SO-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N+P
  • Mode
    Enhancement
  • Budgetary Price €/1k
    0.34
OPN
BSO612CVGXUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SO-8
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SO-8
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
互补功率 MOSFET（同一封装内的 n 沟道和 p 沟道功率 MOSFET）是英飞凌著名的低压 OptiMOS ™系列的一部分，该系列是高效发电解决方案的市场领导者（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动汽车

特性

  • 互补 p+n 沟道
  • 增强模式
  • 雪崩额定值
  • 符合 AEC Q101 要求
  • 100% 无铅；
  • 符合 RoHS 标准

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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