BSP612P

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数据手册

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BSP612P
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数据手册


商品详情

  • Ciss
    814 pF
  • Coss
    248 pF
  • 最高 ID
    -3 A
  • 最高 IDpuls
    -12 A
  • 最高 Ptot
    1.8 W
  • QG
    -26.3 nC
  • 最高 RDS (on)
    120 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    170 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    170 mΩ
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -1 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
OptiMOS ™ P 通道 60V 小信号 MOSFET，采用 SOT-223 封装。

特性

  • VDS= -60V
  • 极低导通电阻 RDS(on)
  • 100% 效能测试
  • 逻辑电平
  • 符合 AEC Q101 标准

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 快速切换
  • 抗雪崩能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区