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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BSP75N

停产
采用智能 SIPMOS 技术的 N 通道垂直功率 FET。受到嵌入式保护功能的全面保护。
数据手册
封装

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BSP75N
BSP75N
数据手册

商品详情

  • EAS/Avalanche Energy
    550 mJ
  • EAS (Energy capability)
    550 mJ
  • ID(lim) min
    1 A
  • ID
    0.7 A
  • IL(LIM) min
    1 A
  • IL(nom)
    0.7 A
  • IL (Short Circuit Current)
    1 A
  • Ptot max
    1.8 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    490 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 150°C) max
    1350 mΩ
  • toff (Turn OFF time) max
    20 µs
  • ton (Turn ON time) max
    20 µs
  • VDS max
    60 V
  • Protection strategy
    Auto-restart
  • Classification
    n.a
  • Mounting
    SMT
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Control Interface
    Discrete
  • Recommended Operating Voltage max
    60 V
  • Nominal Load Current per channel
    0.7 A
  • Features
    24V COMPATIBLE
  • Currently planned availability until at least
    n.a
  • Family
    Classic HITFET™
  • Diagnostics
    n.a
  • Load Current
    0.7 A
  • Channels
    1
OPN
BSP75NHUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 逻辑电平输入
  • 输入保护 (ESD)
  • 热关断并自动重启
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 过载保护
  • 短路保护
  • 过压保护
  • 电流限制
  • 可进行模拟驾驶

文档

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