BSR92P
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSR92P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-250 V，SC-59
数据手册
封装

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BSR92P
BSR92P
数据手册
  • Ciss
    82 pF
  • Coss
    12 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.14 A
  • 最高 IDpuls
    -0.056 A
  • 最高 Ptot
    0.5 W
  • QG (typ @10V)
    -3.6 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11000 mΩ
  • Rth
    250 K/W
  • 最高 VDS
    -250 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -1 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SC59
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
  • 特殊功能
    Small Signal
  • 预算价格€/1k
    0.12
推荐的
OPN
BSR92PH6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SC59-3
封装名 SC-59
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SC59-3
封装名 SC-59
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持 PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on)，效率高
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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