BSS209PW
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSS209PW

P沟道增强模式小信号场效应晶体管 (FET)，-100 V，SOT-223
数据手册
封装

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BSS209PW
BSS209PW
数据手册


商品详情

  • Ciss
    87 pF
  • Coss
    35 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.63 A
  • 最高 IDpuls
    -2.5 A
  • 最高 Ptot
    0.3 W
  • 最高 QG (typ @4.5V)
    1 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    550 mΩ
  • Rth
    420 K/W
  • Special Features
    Small Signal
  • 最高 VDS
    -20 V
  • VGS(th) 范围
    -0.6 V 至 -1.2 V
  • 封装
    SOT-323
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.04

推荐的
OPN
BSS209PWH6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT323-3
封装名 SOT-323
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT323-3
封装名 SOT-323
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 超级逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 可进行 PPAP

产品优势

  • 高效率和延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区