BSZ010NE2LS5

BSZ010NE2LS5

采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25 V 功率 MOSFET，提高效率
数据手册

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BSZ010NE2LS5
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商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    212 A
  • 最高 ID (@25°C)
    212 A
  • 最高 IDpuls
    848 A
  • 最高 Ptot
    69 W
  • QG (typ @10V)
    44.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    21 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.3 mΩ
  • Special Features
    ORing/Efuse
  • 最高 VDS
    25 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.52 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.84

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET BSZ010NE2LS5 是优化效率和功率密度解决方案（例如开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流）的最佳选择。与之前的 OptiMOS ™ MOSFET 产品相比，RDS(on) 显著降低，从而提高了系统效率。PQFN 3.3x3.3 的小尺寸毫米封装与出色的电气性能相结合，进一步提高了目标应用中最佳的功率密度和尺寸改进。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区