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BSZ010NE2LS5

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采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25 V 功率 MOSFET，提高效率
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BSZ010NE2LS5
BSZ010NE2LS5
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商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    212 A
  • ID (@25°C) max
    212 A
  • IDpuls max
    848 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    44.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    21 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.3 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.52 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    ORing/Efuse
  • 预算价格€/1k
    0.84
OPN
BSZ010NE2LS5ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET BSZ010NE2LS5 是优化效率和功率密度解决方案（例如开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流）的最佳选择。与之前的 OptiMOS ™ MOSFET 产品相比，RDS(on) 显著降低，从而提高了系统效率。PQFN 3.3x3.3 的小尺寸毫米封装与出色的电气性能相结合，进一步提高了目标应用中最佳的功率密度和尺寸改进。

应用

文档

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