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BSZ037N06LS5

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采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET，进一步提升性能
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BSZ037N06LS5
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商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    104 A
  • ID (@25°C) max
    104 A
  • IDpuls max
    416 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    35 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    5.3 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.46
OPN
BSZ037N06LS5ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET BSZ037N06LS5 非常适合优化效率和功率密度解决方案，例如开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流、电信砖和服务器应用以及便携式充电器。仅为 3.3x3.3mm2 的小尺寸加上出色的电气性能进一步有助于在最终应用中实现一流的功率密度和外形尺寸改进。

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