现货,推荐
符合RoHS标准

BSZ0904NSI

OptiMOS ™ 30V,采用 S308 封装

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BSZ0904NSI
BSZ0904NSI

商品详情

  • Ciss
    1100 pF
  • Coss
    460 pF
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    37 W
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • QG (typ @4.5V)
    8.5 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    5.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    5.7 mΩ
  • Rth
    3.4 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Monolithically Integrated Schottky-like Diode
  • 预算价格€/1k
    0.21
OPN
BSZ0904NSIATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
超低栅极和输出电荷,加上小尺寸封装中的最低导通电阻,使 OptiMOS ™ 30V 成为满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。适用于半桥配置(功率级 5x6)。

特性

  • 超低栅极和输出电荷
  • 最低导通电阻
  • 易于设计

产品优势

  • 延长电池寿命
  • 改善 EMI 行为
  • 节省成本
  • 节省空间
  • 减少功率损耗

文档

设计资源

开发者社区

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