BSZ0910ND

英飞凌针对无线电源和驱动器的优化解决方案
数据手册

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BSZ0910ND
BSZ0910ND
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    25 A
  • IDpuls max
    40 A
  • Ptot max
    31 W
  • Qgd
    1 nC
  • QG (typ @10V)
    8.2 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    13 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • RthJC max
    4 K/W
  • Rth
    4 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    Symmetrical Dual 3x3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.43
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
领先的 OptiMOS ™技术与 PQFN 3.0 x 3.0mm 封装相结合，为对空间要求严格的 DC-DC 应用提供了优化的解决方案。BSZ0910ND OptiMOS ™ 30V 半桥非常适合无线充电和驱动（例如多旋翼飞行器（Multicopter）架构，设计人员的目标是简化布局并显著节省空间，同时不影响效率。

特性

  • 对称半桥，具有极低的 RDS(on)，采用小型 3.0 x 3.0mm 封装
  • 裸露焊盘
  • 逻辑电平（额定电压 4.5V）
  • 符合 RoHS 标准的 6/6（完全无铅）

产品优势

  • 低开关损耗
  • 高开关频率工作
  • 最低寄生效应
  • 低工作温度
  • 低栅极驱动损耗
  • RoHS 6/6 无铅产品

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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