在产
符合RoHS标准

BTS118D

采用智能 SIPMOS 技术的 N 通道垂直功率 FET。受到嵌入式保护功能的全面保护。
数据手册
封装

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BTS118D
BTS118D
数据手册

商品详情

  • EAS/Avalanche Energy
    2000 mJ
  • EAS (Energy capability)
    2000 mJ
  • ID(lim) min
    15 A
  • ID
    2.4 A
  • IL(LIM) min
    15 A
  • IL(nom)
    2.4 A
  • IL (Short Circuit Current)
    15 A
  • Ptot max
    21 W
  • RDS (on) (@ Tj = 150°C) max
    240 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    90 mΩ
  • toff (Turn OFF time) max
    100 µs
  • ton (Turn ON time) max
    100 µs
  • VDS max
    42 V
  • Protection strategy
    Latch
  • Classification
    -
  • Mounting
    SMT
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Control Interface
    Discrete
  • Recommended Operating Voltage max
    42 V
  • Nominal Load Current per channel
    2.4 A
  • Family
    Classic HITFET™ 12V
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Diagnostics
    -
  • Load Current
    3.2 A
  • Channels
    1
受到推崇的
OPN
BTS118DATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK (TO252)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK (TO252)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 逻辑电平输入
  • 输入保护 (ESD)
  • 热关断自动重启
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 过载保护
  • 短路保护
  • 过压保护
  • 电流限制
  • 可进行模拟驱动

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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