现货，推荐
符合RoHS标准

BUP06CN035L-01

专为低地球轨道空间应用和星座设计
数据手册
封装

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BUP06CN035L-01
BUP06CN035L-01
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    1C
  • ID (@25°C) max
    52 A
  • IDpuls
    100 A
  • Ptot
    150 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    35 mΩ
  • TID max
    30 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • VGS
    20
  • Package
    PG-TO263-3
  • Operating Temperature
    -40 °C to 125 °C
  • Technology
    CoolMOS(TM)
  • Polarity
    N
  • Die Size
    3
  • Qualification
    AEC-Q101
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
耐辐射，60V，52A，N沟道MOSFET，PG-TO263，30krad(Si) TID

特性

  • 针对低地球轨道 (LEO) 任务和星座进行了优化
  • 耐辐射（LET 为 46 MeV∙cm²/mg）
  • 符合 AEC-Q101 标准

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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