CY14B064PA-SFXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B064PA-SFXIT

数据手册
封装

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CY14B064PA-SFXIT
CY14B064PA-SFXIT
数据手册


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 警报
    Y
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY14B064PA-SFXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY14B064PA-SFXIT 是一款 64Kbit (8K×8) SPI nvSRAM，集成实时时钟，将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合。它支持掉电时的AutoStore和上电时的RECALL，以及软件或 HSB 启动的STORE/RECALL。 该存储器提供无限次读/写操作和 100 万次STORE循环。 在 16 位 SOIC 封装中以 40 MHz 频率运行，工作电压为 2.7 V 至 3.6 V，工作温度为 -40 至 85°C，活动电流为 3 mA，待机电流为 250 µA，睡眠电流最大为 8 µA。

特性

  • 64 Kbit nvSRAM (8 K × 8)
  • 断电时自动存储 (VCAP)
  • 可通过 SPI 或 HSB 引脚执行 STORE
  • 上电时或通过 SPI 执行 RECALL
  • SRAM 可无限次读写与 RECAL
  • 非易失 STORE次数 1,000 K次
  • 20 年数据保留
  • 支持SPI模式0和模式3
  • SPI 时钟最高 104 MHz（FAST）
  • WP 引脚 + 分块保护 1/4、1/2
  • 状态寄存器支持 WREN/WRDI（写使能/写禁止）
  • RTC闹钟、看门狗、SQW输出

产品优势

  • 保护突然断电时的数据
  • 零等待 SRAM 加速事务处理
  • 能够承受高强度的写入工作负载
  • 长时间数据保持降低维护风险
  • 高速SPI可缩短读取时间
  • 兼容标准SPI控制器
  • VCAP 支持简易电源备份
  • 块保护防止数据被覆盖
  • WP 引脚有助于锁定关键数据
  • 集成 RTC，减少额外 IC
  • Alarm/INT 支持定时唤醒
  • SQW 输出简化计时功能

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区