CY14B108L-ZS20XIT
现货,推荐
符合RoHS标准

CY14B108L-ZS20XIT

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CY14B108L-ZS20XIT
CY14B108L-ZS20XIT
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    20 ns
OPN
CY14B108L-ZS20XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B108L-ZS20XIT 是一款 8 Mbit (1024 K × 8) 并行 nvSRAM,它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器集成在一起。它支持 20 ns 访问时间、使用外部 VCAP 电容器(最小值 122 µF)在掉电时自动存储,以及在上电或通过软件进行 RECALL。 单电源供电,工作电压为 2.7 V 至 3.6 V,工作温度范围为 -40°C 至 85°C,数据保持时间为 20 年,STORE耐久性为 1,000 K,采用 44 引脚 TSOP II 封装。

特性

  • 具有 SRAM 接口的 8 Mbit nvSRAM
  • 快速访问/访问时间低至 20 ns
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • QuantumTrap 非易失性信元
  • 20 年数据保留
  • 1,000K 存储耐久度
  • 单路3V电源:2.7V至3.6V
  • VCAP 电容器:122 uF 至 360 uF
  • 低于 2.65 V 时禁止读写
  • 乘方向上 RECALL 持续时间 20 毫秒

产品优势

  • SRAM-like speed with no battery
  • 20 ns cuts memory access latency
  • Saves data automatically at shutdown
  • Flexible backup: SW or HSB control
  • Fast restore after power returns
  • High reliability QuantumTrap backup
  • Long data hold without refresh
  • Endures frequent power events
  • Simple 3 V rail reduces regulators
  • Small cap enables simple backup HW
  • Prevents corruption on brownout
  • 20 ms RECALL speeds system boot

应用

文档

设计资源

开发者社区

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