CY14B108N-BA25XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B108N-BA25XI

数据手册
封装

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CY14B108N-BA25XI
CY14B108N-BA25XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B108N-BA25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 598
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 598
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B108N-BA25XI 是一款 8 Mbit (512 K × 16) 并行 nvSRAM，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合。它的工作电压为 2.7V 至 3.6V，温度范围为 -40 至 85°C，访问时间为 25 ns。 数据通过 122 µF 至 360 µF VCAP 电容器在掉电时自动存储；也可以通过软件或 HSB 引脚启动STORE/RECALL，从而实现快速非易失性保存，而无需外部 EEPROM 写入。 它采用 48 球 FBGA 封装。

特性

  • 具有 SRAM 接口的 8 Mbit nvSRAM
  • 快速访问/访问时间低至 20 ns
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • QuantumTrap 非易失性信元
  • 20 年数据保留
  • 1,000K 存储耐久度
  • 单路3V电源：2.7V至3.6V
  • VCAP 电容器：122 uF 至 360 uF
  • 低于 2.65 V 时禁止读写
  • 乘方向上 RECALL 持续时间 20 毫秒

产品优势

  • SRAM 般的速度，无需电池
  • 20 ns 减少了存储器访问时间延迟
  • 关机时自动保存数据
  • 灵活的备份方式：软件或 HSB 控制
  • 供电恢复后可快速还原数据
  • 高可靠性的 QuantumTrap 备份技术
  • 无需刷新即可长时间保持数据
  • 可承受频繁的掉电/上电事件
  • 单一 3V 供电轨，减少稳压器/电源转换器需求
  • 只需小电容即可实现简化的备份硬件方案
  • 防止欠压（brownout）时数据损坏
  • 20 毫秒 RECALL 加速系统启动
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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