CY14B116M-BZ45XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B116M-BZ45XI

数据手册
封装

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CY14B116M-BZ45XI
CY14B116M-BZ45XI
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY14B116M-BZ45XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B116M-BZ45XI 是一款 16 Mbit (1024 K × 16) 并行 nvSRAM，集成了 RTC，结合了快速 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储。它的工作电压为 2.7V 至 3.6V，温度范围为 –40°C 至 +85°C，并提供 45 ns 的访问时间。 数据在掉电时使用 19.8 µF 至 82 µF VCAP 电容器自动存储，并在上电时RECALL；支持 1M 存储次数和 20 年保留，以实现可靠的数据记录。

特性

  • 16 Mbit nvSRAM（SRAM + NV）
  • 2048K×8 或 1024K×16 数组
  • 25 ns / 45 ns 访问/访问选项
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过乘方上或软件召回
  • 100万次存储循环
  • 20 年数据保留
  • 电路供电电压 2.7 V 至 3.6 V
  • 睡眠模式，RTC 运行
  • 最大睡眠模式电流：10 µA
  • RTC 报警、WDT、方波输出

产品优势

  • SRAM 速度，同时具备非易失数据安全
  • 兼容 x8 或 x16 传统总线接口
  • 25 ns / 45 ns 访问时间，减少等待周期
  • 自动保存可防止数据丢失
  • 支持按需 STORE，便于事件触发时保存
  • 上电后快速恢复
  • 高耐久度，适合数据记录
  • 长保持期，降低维护需求
  • 单电源 2.7-3.6 V，简化设计
  • 睡眠模式降低系统功耗
  • 睡眠电流 10 µA，提升电池续航
  • 集成 RTC 模块，减少外部芯片数量
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区