现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B116M-BZ45XIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B116M-BZ45XIT
CY14B116M-BZ45XIT
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY14B116M-BZ45XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B116M-BZ45XIT为16 Mbit nvSRAM（1024 K×16）并集成RTC，将SRAM速度与QuantumTrap非易失存储结合。支持掉电自动AutoStore（外接19.8–82.0 µF VCAP），并可硬件/软件STORE与RECALL。工作电压2.7 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C，100万次STORE，20年保持，45 ns访问，165球FBGA卷带封装。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM(SRAM+NV)
  • 2048K×8或1024K×16
  • 25 ns / 45 ns访问选项
  • 掉电自动AutoStore
  • 软件或HSB引脚STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 100万次STORE循环
  • 数据保持20年
  • VCC 2.7 V至3.6 V
  • 睡眠模式RTC继续运行
  • 睡眠电流最大10 µA
  • RTC闹钟/看门狗/方波

产品优势

  • 兼顾SRAM速度与断电保护
  • 适配x8或x16存储总线
  • 25/45 ns减少等待周期
  • 自动保存防止数据丢失
  • 事件触发可按需STORE
  • 上电快速恢复数据
  • 高耐久适合数据记录
  • 长保持降低维护成本
  • 单电源2.7-3.6 V简化设计
  • 睡眠模式降低系统功耗
  • 10 µA睡眠延长电池寿命
  • RTC功能减少外部芯片

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }