CY14E101Q2A-SXIT

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CY14E101Q2A-SXIT
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商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
CY14E101Q2A-SXIT是一款 1 Mbit (128K × 8) 串行 (SPI) nvSRAM，每个单元结合了 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储器。 它的工作电压为 4.5 V 至 5.5 V，温度范围为 -40°C 至 85°C，支持掉电时的自动存储和上电的 RECALL，以及通过 SPI 进行的软件 STORE/RECALL。 SPI 模式 0/3，频率 40 MHz。最大 ICC1 4 mA（40 MHz），待机 150 µA，睡眠 8 µA。8 引脚 SOIC 封装，带 VCAP，卷带包装。

特性

  • 1Mbit nvSRAM，组织结构为 128K x 8
  • 量子阱非易失性元素
  • 电源恢复时自动存储（部分）
  • 通过 SPI 进行软件存储/调用
  • 通过 HSB 引脚进行硬件存储
  • 乘方向上 RECALL 恢复 SRAM
  • SPI时钟频率最高可达104 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 8 字节序列号访问/访问
  • 制造商 ID 和产品 ID
  • 通过 WP 引脚进行写保护
  • 功能块保护：1/4、1/2、全

产品优势

  • SRAM 速度级的读写
  • 断电后保留数据
  • AutoStore 可减少断电造成的损失
  • SPI STORE/RECALL降低固件工作量
  • HSB 启用事件触发的保存
  • 上电 RECALL 实现快速重启
  • 104 MHz SPI 数据传输速度
  • 模式 0/3 适用于多种 MCU
  • 序列号支持可追溯性
  • 器件 ID 使能自动检测设置
  • WP 引脚有助于防止错误写入
  • 块保护机制保护关键数据

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区