CY14E256Q5A-SXQ
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14E256Q5A-SXQ

数据手册
封装

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CY14E256Q5A-SXQ
CY14E256Q5A-SXQ
数据手册


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial(Q)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY14E256Q5A-SXQ
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
US
CY14E256Q5A-SXQ是一款 256-Kbit (32 K × 8) SPI nvSRAM，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合，断电自动保留数据。 它支持零周期延迟的 40 MHz 读/写、电源关闭时的自动存储和上电的 RECALL，以及软件 STORE/RECALL。 工作电压范围为 4.5 V 至 5.5 V，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C，采用 8 引脚 SOIC 封装，带 VCAP（42 uF 至 180 uF）和 8 字节序列号。

特性

  • 256 Kbit nvSRAM (32 K × 8)
  • 电源恢复时自动存储
  • SPI 存储和调用指令
  • 乘方向上 RECALL 恢复 SRAM
  • 40 MHz SPI，零周期延迟
  • 支持SPI模式0和3
  • 写禁用 (WRDI) 保护
  • 功能块保护1/4、1/2、全部
  • 通过 SPI 的 8 字节序列号
  • 制造商 ID 和产品 ID
  • 20 微安睡眠电流 (IZZ)
  • 电路供电电压待机电流 250 uA (ISB)

产品优势

  • 断电后仍可保留数据
  • 掉电时保存最后状态
  • 硬件控制的备份/恢复
  • 启动时立即恢复数据
  • 快速读写，无需等待
  • 易于与 MCU 的 SPI 接口集成
  • 防止意外写入
  • 保护关键数据区域
  • 内置可追溯性 ID
  • 简化器件识别
  • 休眠模式延长电池续航
  • 待机模式降低空闲功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区