现货，推荐
符合RoHS标准

CY14V101QS-SF108XQ

数据手册
封装

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CY14V101QS-SF108XQ
CY14V101QS-SF108XQ
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb × 8
  • 认证标准
    Industrial(Q)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
推荐的
OPN
CY14V101QS-SF108XQ
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
包装尺寸 460
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
包装尺寸 460
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V101QS-SF108XQ是一款1 Mbit（128K×8）Quad SPI nvSRAM，将SRAM与SONOS非易失单元集成，实现无需电池的数据保持。支持SPI/DPI/QPI，最高108 MHz，读写带宽达54 MBps，掉电自动STORE、上电RECALL，并支持HSB硬件STORE。非易失数据保持能力为85°C下20年。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.71 V至2.0 V，工作温度–40°C至105°C。

特性

  • 1 Mbit（128K×8）nvSRAM
  • SPI/DPI/QPI高达108 MHz
  • 40 MHz读零等待周期
  • 读写带宽54 MBps
  • 支持SPI模式0和3
  • 突发读并支持回卷
  • 突发写并支持回卷
  • 掉电AutoStore（VCAP）
  • 上电自动RECALL
  • 软件STORE/RECALL指令
  • HSB硬件STORE与状态
  • 85°C保存20年, 100万次STORE

产品优势

  • 兼具SRAM速度与非易失安全
  • 108 MHz实现高速数据传输
  • 零等待读减少系统等待
  • 54 MBps满足高吞吐需求
  • SPI 0/3便于主控对接
  • 突发读减少指令开销
  • 突发写加速块更新
  • 断电自动保存防数据丢失
  • 上电快速恢复数据
  • 软件保存/恢复简化固件
  • HSB支持硬件管理备份
  • 长保留期降低维护需求

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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