CY14V256LA-BA35XI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V256LA-BA35XI

封装

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CY14V256LA-BA35XI
CY14V256LA-BA35XI

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14V256LA-BA35XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 299
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 299
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V256LA-BA35XI 是一款 256Kbit (32K × 8) 并行 nvSRAM，结合了快速 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储。它支持 35 ns 访问，使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器掉电时自动存储以及支持硬件/软件 STORE 和 RECALL。在 -40°C 至 85°C 温度范围内工作：VCC 为 3.0 V～3.6 V，VCCQ 为 1.65 V～1.95 V；数据保持时间 20 年，支持 100 万次 STORE 循环。

特性

  • 32K × 8 nvSRAM 组织
  • 35 ns SRAM 访问/访问时间
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB、软件、AutoStore 存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • 1,000 K STORE 循环耐久性
  • 非易失性数据保留20年
  • 电路供电电压 3.0–3.6 V 磁芯供应
  • VCCQ 1.65–1.95 VI/O 供电
  • 低电平电压写入/存储禁止
  • HSB 开漏忙指示器
  • VCAP 电容器范围 61–180 µF

产品优势

  • 具备类似 SRAM 的速度，适用于实时数据
  • 断电备份无需固件参与
  • 上电后自动恢复数据
  • 无需MCU代码即可通过HSB手动保存
  • 软件 STORE/RECALL 提供更灵活的控制
  • 高 STORE 耐久性，适合数据记录
  • 20 年数据保持，适合长期寿命数据存储
  • 双电源轨便于匹配 I/O 电压
  • Inhibit功能防止欠压导致数据损坏
  • HSB 支持简单的状态监测
  • VCAP STORE 无需备份电池
  • 可禁用 AutoStore 以降低非易失存储磨损
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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