现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V256LA-BA35XI

数据手册
封装

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CY14V256LA-BA35XI
CY14V256LA-BA35XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14V256LA-BA35XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 299
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 299
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V256LA-BA35XI是一款256 Kbit（32K×8）并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储结合。支持35 ns访问时间，掉电时通过61 µF至180 µF的VCAP电容自动AutoStore，并提供硬件/软件STORE与RECALL。工作电压VCC 3.0 V至3.6 V、VCCQ 1.65 V至1.95 V，温度范围-40°C至85°C，数据保持20年，STORE寿命100万次。

特性

  • 32K×8 nvSRAM组织
  • 35 ns SRAM访问时间
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • HSB/软件/自动STORE
  • 软件或上电RECALL
  • STORE寿命1000 K次
  • 数据保持20年
  • 内核VCC 3.0–3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65–1.95 V
  • 低压禁止写/STORE
  • HSB开漏忙指示
  • VCAP电容61–180 µF

产品优势

  • SRAM速度适合实时数据
  • 掉电保护无需固件备份
  • 上电自动恢复数据
  • HSB手动保存无需代码
  • 软件STORE/RECALL便于控制
  • 高STORE寿命适合记录
  • 20年保持适合长寿数据
  • 双电源易匹配I/O电压
  • 防止掉电/棕断写坏
  • HSB便于监控忙状态
  • VCAP保存无需备用电池
  • 可禁用AutoStore降磨损

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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