现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B004J-SXA

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B004J-SXA
CY15B004J-SXA
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
CY15B004J-SXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B004J-SXA是一款4-Kbit汽车级串行F-RAM，具备高耐久非易失性存储，支持100万亿次读写循环，65°C下数据保持151年。工作电压2.7 V至3.65 V，温度–40°C至+85°C，最高1 MHz I2C接口，8引脚SOIC封装。适用于频繁数据记录和工业控制，符合AEC-Q100和RoHS标准，是串行EEPROM的可靠替代方案。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512 × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 μA低工作电流（100 kHz）
  • 3 μA典型待机电流
  • VDD范围：2.7 V至3.65 V
  • 工作温度：–40°C至+85°C
  • 直接替换I2C EEPROM
  • 写保护引脚保障数据安全
  • 施密特触发器抗干扰输入

产品优势

  • 实现高频数据记录无磨损
  • 数十年防止数据丢失
  • 实时应用无写入延迟
  • 便捷升级I2C EEPROM设计
  • 降低系统功耗
  • 延长低功耗系统电池寿命
  • 恶劣环境下可靠运行
  • 防止误写保护数据
  • 噪声环境下数据完整
  • 兼容标准I2C总线集成简单
  • 无需轮询或写入延迟
  • 电压范围内性能稳定

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }