现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B004J-SXAT

数据手册
封装

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CY15B004J-SXAT
CY15B004J-SXAT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
CY15B004J-SXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B004J-SXAT是一款4 Kbit（512 × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，支持1×10¹⁴次读写和151年数据保持。工作电压2.7 V至3.65 V，温度范围–40°C至+85°C，NoDelay™写入技术实现总线速度下的即时数据存储，100 kHz下工作电流最大100 μA，待机电流低至3 μA。8引脚SOIC封装，符合RoHS标准，适用于高可靠性、快速低功耗写入的汽车、工业及频繁数据记录应用。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512 × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 μA低工作电流（100 kHz）
  • 3 μA典型待机电流
  • VDD范围：2.7 V至3.65 V
  • 工作温度：–40°C至+85°C
  • 直接替换I2C EEPROM
  • 写保护引脚保障数据安全
  • 施密特触发器抗干扰输入

产品优势

  • 实现高频数据记录无磨损
  • 数十年防止数据丢失
  • 实时应用无写入延迟
  • 便捷升级I2C EEPROM设计
  • 降低系统功耗
  • 延长低功耗系统电池寿命
  • 恶劣环境下可靠运行
  • 防止误写保护数据
  • 噪声环境下数据完整
  • 兼容标准I2C总线集成简单
  • 无需轮询或写入延迟
  • 电压范围内性能稳定

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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