现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B004Q-SXE

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B004Q-SXE
CY15B004Q-SXE
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15B004Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B004Q-SXE是一款4 Kbit（512 × 8）汽车级串行F-RAM，采用标准SPI接口，支持最高16 MHz时钟、3.0 V至3.6 V电压和10万亿次（10¹³）读写耐久。器件在85°C下可保持数据121年，具备NoDelay™写入、低工作（1 MHz时200 μA）和待机（85°C时6 μA）电流，以及硬件/软件写保护。8引脚SOIC封装，通过AEC-Q100 Grade 1认证，适用于–40°C至+125°C频繁快速写入和高可靠性需求的汽车与工业应用。

特性

  • 4 Kbit非易失性F-RAM，512×8结构
  • 10万亿次(10¹³)读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，支持总线速度
  • SPI接口最高16 MHz
  • 硬件和软件写保护
  • 1 MHz时200 μA低功耗
  • 85°C下6 μA待机电流
  • 宽电压：3.0 V至3.6 V
  • 工作温度：–40°C至+125°C
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 10¹³次循环后数据仍可靠
  • 无写入延迟，数据即刻存储
  • 121年保持防止数据丢失
  • 16 MHz SPI提升传输速度
  • 写保护增强数据安全
  • 200 μA有源降低系统功耗
  • 6 μA待机延长电池寿命
  • –40°C至+125°C可靠运行
  • 易于替换闪存/EEPROM设计
  • SPI多模式简化设计
  • 宽VDD简化电源设计
  • 高耐久适合频繁写入应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }