CY15B064Q-SXA
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B064Q-SXA

数据手册
封装

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CY15B064Q-SXA
CY15B064Q-SXA
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15B064Q-SXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B064Q-SXA是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM存储器，采用SPI接口，具备非易失性存储和1e14次读写耐久性。工作电压2.7 V至3.65 V，SPI时钟最高20 MHz，65°C下可保持数据151年。支持NoDelay™写入、1 MHz下200 μA有源电流，并具备硬件和软件写保护，适用于汽车和工业等高要求应用。

特性

  • 64-Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™实时写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 低功耗：200 μA工作，3 μA待机
  • VDD工作范围2.7 V至3.65 V
  • 多重硬件/软件写保护
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 输入/输出迟滞抗干扰
  • 工作温度-40°C至+85°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM

产品优势

  • 可靠存储频繁数据记录
  • 消除写入延迟即刻更新
  • 适应严苛汽车环境
  • 待机功耗低
  • 先进写保护保障数据安全
  • 灵活保护关键数据
  • SPI接口集成简单
  • 长期数据保存减少维护
  • 直接替换简化升级
  • 高耐久性降低总成本
  • 稳定抗干扰运行
  • 支持多种嵌入式设计
文档

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