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CY15B064Q-SXAT
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无铅

CY15B064Q-SXAT

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CY15B064Q-SXAT
CY15B064Q-SXAT
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商品详情

  • Frequency
    16 MHz
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns

OPN
CY15B064Q-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
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CY15B064Q-SXAT是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM，具备100万亿次读写循环和在65°C下151年数据保存能力。工作电压2.7 V至3.65 V，支持最高20 MHz SPI接口和NoDelay™即时写入。硬件与软件写保护、低功耗（1 MHz时200 μA，待机3 μA）、8引脚SOIC封装，适用于高频写入、高可靠性汽车和工业应用。

特性

  • 64-Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™实时写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 低功耗：200 μA工作，3 μA待机
  • VDD工作范围2.7 V至3.65 V
  • 多重硬件/软件写保护
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 输入/输出迟滞抗干扰
  • 工作温度-40°C至+85°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM

产品优势

  • 可靠存储频繁数据记录
  • 消除写入延迟即刻更新
  • 适应严苛汽车环境
  • 待机功耗低
  • 先进写保护保障数据安全
  • 灵活保护关键数据
  • SPI接口集成简单
  • 长期数据保存减少维护
  • 直接替换简化升级
  • 高耐久性降低总成本
  • 稳定抗干扰运行
  • 支持多种嵌入式设计
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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