现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B102QM-50SWXI

数据手册
封装

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CY15B102QM-50SWXI
CY15B102QM-50SWXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 频率
    50 MHz
推荐的
OPN
CY15B102QM-50SWXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B102QM-50SWXI是一款2Mb EXCELON™ LP铁电RAM（F-RAM），具备10^15次读写循环和在60°C下151年数据保持能力。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，低功耗（深度掉电模式0.8 µA，休眠模式0.1 µA）。支持最高50 MHz SPI，写保护、设备ID及序列号功能。其即时非易失性写入能力适用于频繁数据记录和工业控制等应用。

特性

  • 2Mb铁电RAM，256K × 8结构
  • 1015次读写耐久性
  • 60°C下151年数据保持
  • 即时非易失性写入技术
  • SPI最高50 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 设备和唯一序列号
  • 256字节特殊区，耐回流焊
  • 40 MHz时2.4 mA工作电流
  • 待机2.3 µA，深电源0.7 µA
  • 输入/输出漏电流±1 µA

产品优势

  • 数据存储可靠持久
  • 无写入延迟，实时更新
  • 高频写入无磨损风险
  • 高速满足快速系统需求
  • 灵活SPI接口易集成
  • 数据安全与保护增强
  • 唯一ID便于追溯
  • 特殊区耐焊接工艺
  • 低功耗延长电池寿命
  • 待机节能降耗
  • 极低漏电流提升可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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