现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B104Q-LHXI

符合工业标准且工作范围宽的高密度 4 Mbit SPI 非易失性存储器
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B104Q-LHXI
CY15B104Q-LHXI
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    4 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    SPI
  • Organization (X x Y)
    512Kb x 8
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Industrial
  • Speed
    0 ns
  • Frequency
    40 MHz
受到推崇的
OPN
CY15B104Q-LHXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 370
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 370
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B104Q-LHXI 是一款 4 Mbit F-RAM，具有 151 年的数据保留时间、快速的总线速度写入操作和强大的写入耐久性，非常适合非易失性存储器应用。作为串行 EEPROM 或闪存的硬件替代品，它提供了可靠、高速的性能和显著的优势。

特性

  • 4 Mbit F-RAM 逻辑组织为 512 K × 8
  • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写
  • 数据保留 151 年
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 非常快速的串行外设接口 (SPI)
  • 频率高达 40 MHz
  • 完善的写保护方案
  • 制造商 ID 和产品 ID
  • 低电压工作：VDD = 2.0 V 至 3.6 V
  • 工业温度：-40°C 至 +85°C

文档

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