现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B104Q-LHXI

符合工业标准且工作范围宽的高密度 4 Mbit SPI 非易失性存储器
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B104Q-LHXI
CY15B104Q-LHXI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
CY15B104Q-LHXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 370
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-USON-8
封装名 DFN-8 (001-85579)
包装尺寸 370
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B104Q-LHXI是一款4 Mbit（512 K × 8）串行F-RAM存储器，采用SPI接口，支持100万亿次（10¹⁴）读写耐久性，在65°C下数据保持长达151年。工作电压2.0 V至3.6 V，最高40 MHz，低功耗并具备先进写保护。其NoDelay™快速写入和8引脚TDFN封装，适用于需要频繁高速写入的工业控制和数据记录应用。

特性

  • 4-Mbit非易失性F-RAM，512 K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 硬件和软件写保护
  • 低功耗：0.3 mA工作，3 μA休眠
  • VDD工作范围2.0 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 设备ID含厂商和产品信息

产品优势

  • 可靠存储频繁数据采集
  • 消除断电导致数据丢失
  • 无写入延迟，数据即时更新
  • 高速SPI便于集成
  • 易于替换串行闪存/EEPROM
  • 灵活保护关键数据
  • 待机/休眠降低能耗
  • 适应恶劣工业环境
  • 确保产品寿命长
  • 简化设备识别

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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