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CY15B104QN-50LPXI

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CY15B104QN-50LPXI
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商品详情

  • 密度
    4096 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    50 MHz
OPN
CY15B104QN-50LPXI
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 490
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 490
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B104QN-50LPXI是一款4-Mb EXCELON™ LP铁电RAM（F-RAM），采用SPI接口，组织为512K × 8，专为工业高耐久和快速写入应用设计。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，支持最高50 MHz时钟，耐久性达10^15次循环，数据保持151年。具备硬件和软件写保护、设备及序列号、256字节特殊扇区，以及低工作和待机电流。符合RoHS标准，适用于数据记录和工业控制等高可靠性非易失存储需求。

特性

  • 4-Mb铁电RAM，512K×8结构
  • 10^15次读写耐久
  • 70°C下151年数据保存
  • SPI接口最高50 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 专用256字节特殊区
  • 唯一设备ID和序列号
  • 有源电流2.4 mA@40 MHz
  • 待机电流2.3 µA（典型值）
  • 深度掉电0.7 µA（典型值）
  • 休眠模式0.1 µA（典型值）

产品优势

  • 适合频繁快速数据记录
  • 无磨损，关键应用理想
  • 长期数据安全，无需刷新
  • 高速SPI支持系统设计
  • 灵活SPI主机集成
  • 增强数据安全防篡改
  • 特殊区耐回流焊
  • 便于设备追踪认证
  • 低功耗延长电池寿命
  • 降低待机能耗
  • 深度休眠降低空闲功耗
  • 休眠模式极低待机功耗

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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