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CY15B128J-SXAT
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无铅

CY15B128J-SXAT

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CY15B128J-SXAT
CY15B128J-SXAT
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商品详情

  • Frequency
    3.4 MHz
  • 密度
    128 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    16Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    0 ns

OPN
CY15B128J-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
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CY15B128J-SXAT是一款128 Kbit（16K × 8）汽车级串行F-RAM，采用高可靠性铁电技术，支持100万亿次读写和65°C下151年数据保持。工作电压2.0 V至3.6 V，100 kHz下工作电流175 μA，休眠电流8 μA。通过最高3.4 MHz的I2C接口和8引脚SOIC封装，实现瞬时非易失性写入、无写延迟和低功耗，适用于数据记录、工业及汽车应用，工作温度–40°C至+85°C。

特性

  • 128 Kbit F-RAM，16K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，RAM速度
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 有源电流175 μA（100 kHz）
  • 睡眠电流8 μA
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 设备及厂家ID
  • 直接替换串行EEPROM
  • 支持传统I2C时序

产品优势

  • 实现频繁瞬时数据记录
  • 消除写入延迟提升速度
  • 10¹⁴次循环免维护
  • 151年数据保存防丢失
  • 主动/睡眠低功耗
  • 宽VDD简化电源设计
  • –40°C至+85°C可靠运行
  • 可直接替换EEPROM
  • 兼容新旧I2C设计
  • 设备ID便于追踪管理
  • 写后无需数据轮询
  • 低功耗延长电池寿命

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区