CY15B128Q-SXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B128Q-SXAT

数据手册
封装

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CY15B128Q-SXAT
CY15B128Q-SXAT
数据手册


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 密度
    128 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    16Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B128Q-SXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B128Q-SXAT是一款128 Kbit汽车级串行F-RAM存储器，采用16K × 8结构，通过SPI（最高40 MHz）访问。具备100万亿次读写耐久性和151年（65°C）数据保存能力。工作电压2.0 V至3.6 V，低功耗：2.5 mA工作电流，150 μA待机，8 μA睡眠模式。硬件及软件写保护，适用于汽车和工业领域高频快速写入应用。

特性

  • 128 Kbit铁电RAM (F-RAM)
  • 100万亿次读写寿命
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件写保护（WP引脚）
  • 软件写保护及块保护
  • 有源2.5 mA，待机150 μA，休眠8 μA
  • 工作电压2.0 V至3.6 V
  • 设备ID含厂商和产品ID

产品优势

  • 实现高频可靠数据记录
  • 防止断电导致数据丢失
  • 消除写入延迟，操作更快
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 降低系统功耗
  • 灵活集成SPI总线
  • 防止误写保障数据安全
  • 简化系统级数据保护
  • 支持低电压应用
  • 便于设备库存管理

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区