CY15B201QN-50SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B201QN-50SXE

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B201QN-50SXE
CY15B201QN-50SXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 频率
    50 MHz
推荐的
OPN
CY15B201QN-50SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B201QN-50SXE是一款1-Mb汽车级铁电RAM（F-RAM），采用128 K × 8结构，通过高达50 MHz的SPI接口访问。具备10万亿次读写耐久性和121年数据保持，写入无延迟。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，符合AEC-Q100 Grade 1标准。低功耗、先进写保护和256字节专用区，适用于高可靠性、快速持久存储的汽车和工业应用。

特性

  • 1Mb铁电RAM，128K×8结构
  • 10^13次超高耐久读写
  • 85°C下121年数据保存
  • 即时非易失写入无延迟
  • SPI接口最高50 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 设备/唯一ID和序列号
  • 256字节专用扇区
  • 4.3mA有源/3.2µA待机电流
  • 深度掉电/休眠模式
  • 宽VDD：1.8V至3.6 V

产品优势

  • 断电后数据可靠保存
  • 超高耐久适合频繁写入
  • 写入无等待高效存储
  • 高速满足严苛应用
  • SPI标准灵活集成
  • 数据保护安全增强
  • 唯一ID便于追溯
  • 专区耐回流焊
  • 低功耗延长电池寿命
  • 多电源模式降低待机损耗
  • 适应恶劣环境
  • 可替换EEPROM/Flash

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区