{
"default" : {
"title" : "登录或注册",
"description" : "请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"bookmark" : {
"title" : "登录或注册以添加书签",
"description" : "将此页面添加为书签可将其保存在您的 myInfineon 仪表板中,以便于访问。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"gated_document" : {
"title" : "登录或注册即可下载",
"description" : "要访问此文档,您需要一个 myInfineon 帐户。一旦您创建了帐户,您就可以享受无限制下载。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"gated_video" : {
"title" : "登录或注册即可观看视频",
"description" : "要观看此视频,您需要一个 myInfineon 帐户。创建帐户后,您将享受无限制的下载和视频。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"event_registration" : {
"title" : "登录或创建帐户以注册参加活动",
"description" : "要注册此活动,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"board_registration" : {
"title" : "登录或注册以注册您的主板",
"description" : "要注册该主板,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"block_diagram" : {
"title" : "登录或注册以保存框图",
"description" : "保存此框图将创建一个链接并将其存储在您的 myInfineon 仪表板中。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"contact_sales" : {
"title" : "登录或注册以联系您的销售代表。",
"description" : "创建帐户有助于我们为您匹配合适的销售联系人,以提供个性化的帮助。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"subscribe_to_newsletter" : {
"title" : "登录或注册订阅营销通讯",
"description" : "要订阅,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户。"
},
"add_to_cart" : {
"title" : "登录或注册以将产品添加到购物车",
"description" : "要访问您的购物车,您需要一个 myInfineon 帐户。请使用现有帐户登录或创建新帐户"
}
}
CY15B201QN-50SXE
商品详情
-
Frequency50 MHz
-
密度1 MBit
-
工作温度 范围-40 °C 至 125 °C
-
工作电压 范围1.8 V 至 3.6 V
-
接口SPI
-
目前计划的可用性至少到2033
-
系列Excelon™
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组织(X x Y)128Kb x 8
-
质量等级Automotive(E)
| 推荐的 | |
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OPN
|
CY15B201QN-50SXE |
| 产品状态 | active and preferred |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SOIC-8 (001-85261) |
| 封装尺寸 | 470 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | 3 |
| 防潮封装 | DRY |
| 无铅 | Yes |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | Yes |
|
|
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| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SOIC-8 (001-85261) |
| 封装尺寸 | 470 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | 3 |
| 防潮封装 | DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
CY15B201QN-50SXE是一款1-Mb汽车级铁电RAM(F-RAM),采用128 K × 8结构,通过高达50 MHz的SPI接口访问。具备10万亿次读写耐久性和121年数据保持,写入无延迟。工作电压1.8 V至3.6 V,温度范围-40°C至+125°C,符合AEC-Q100 Grade 1标准。低功耗、先进写保护和256字节专用区,适用于高可靠性、快速持久存储的汽车和工业应用。
特性
- 1Mb铁电RAM,128K×8结构
- 10^13次超高耐久读写
- 85°C下121年数据保存
- 即时非易失写入无延迟
- SPI接口最高50 MHz
- 支持SPI模式0和3
- 硬件/软件写保护
- 设备/唯一ID和序列号
- 256字节专用扇区
- 4.3mA有源/3.2µA待机电流
- 深度掉电/休眠模式
- 宽VDD:1.8V至3.6 V
产品优势
- 断电后数据可靠保存
- 超高耐久适合频繁写入
- 写入无等待高效存储
- 高速满足严苛应用
- SPI标准灵活集成
- 数据保护安全增强
- 唯一ID便于追溯
- 专区耐回流焊
- 低功耗延长电池寿命
- 多电源模式降低待机损耗
- 适应恶劣环境
- 可替换EEPROM/Flash
应用
文档