现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B201QSN-108SXE

数据手册
封装

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CY15B201QSN-108SXE
CY15B201QSN-108SXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    QSPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 频率
    108 MHz
推荐的
OPN
CY15B201QSN-108SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 470
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 470
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B201QSN是一款1-Mb（128K × 8）汽车级铁电RAM（F-RAM），具备瞬时非易失性写入、10万亿次读写耐久性和121年数据保存能力。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，支持高达108 MHz的Quad SPI和DDR接口。集成ECC和CRC保障数据完整性。符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS，适用于需要频繁可靠存储的汽车和工业应用。

特性

  • 1-Mb F-RAM，128K × 8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 121年数据保持
  • 支持四/双/扩展/单SPI
  • SPI SDR最高108 MHz，DDR 54 MHz
  • 支持XiP直接读写
  • 硬件/软件写保护
  • 内嵌ECC和CRC数据完整性
  • 独特设备及序列号
  • 256字节特殊扇区
  • 低工作/待机/深度掉电电流
  • 1.8 V至3.6 V电源电压

产品优势

  • 免除频繁更换存储器
  • 百年可靠数据保存
  • 灵活高速SPI接口
  • 满足高速系统需求
  • 可直接从存储器执行代码
  • 防止误写保护数据
  • 自动检测纠正存储错误
  • 便于设备身份追踪
  • 特殊扇区耐回流焊
  • 降低各模式功耗
  • 适用于低压应用

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }