CY15B204QN-40SXET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B204QN-40SXET

数据手册
封装

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CY15B204QN-40SXET
CY15B204QN-40SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
CY15B204QN-40SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B204QN-40SXET是一款4-Mb EXCELON™ Auto铁电RAM（F-RAM），采用512K×8结构和最高40 MHz的高速SPI接口。具备1013次读写循环的几乎无限耐久性和121年数据保持，适用于频繁快速写入的汽车和工业系统。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准。采用8引脚SOIC封装，支持无铅和编带选项。

特性

  • 4-Mb F-RAM，512K×8结构
  • 1013次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • 即时非易失性写入技术
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 专用256字节特殊区
  • 唯一设备ID和序列号
  • 低功耗：3.9 mA工作，0.1 µA休眠
  • 深度掉电与休眠模式
  • 输入/输出电容6/8 pF

产品优势

  • 频繁数据记录可靠存储
  • 消除断电数据丢失
  • 实现即时写入无等待
  • 高速SPI便于集成
  • 多SPI模式灵活应用
  • 防止误写保护数据
  • 特殊区耐回流焊
  • 便于设备追踪与认证
  • 待机能耗极低
  • 低功耗延长电池寿命
  • 低引脚电容减小EMI
  • 可替换串行EEPROM/闪存
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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