CY15B256J-SXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B256J-SXA

数据手册
封装

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CY15B256J-SXA
CY15B256J-SXA
数据手册


商品详情

  • Frequency
    3.4 MHz
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B256J-SXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B256J-SXA是一款256 Kbit（32K × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，具备非易失性存储、100万亿次（1e14）读写耐久性及65°C下151年数据保持能力。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，支持总线速度下NoDelay™写入，低工作电流，休眠电流8 μA。8引脚SOIC封装，符合RoHS标准，适用于高可靠性和频繁写入需求的汽车、工业及数据记录应用。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM，32K x 8结构
  • 65°C下151年数据保持
  • 读写耐久度达100万亿次
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 支持100 kHz、400 kHz、1 MHz模式
  • 低功耗：工作175μA，休眠8μA
  • VDD工作范围2.0 V至3.6 V
  • WP引脚写保护功能
  • 施密特触发器输入抗干扰
  • 设备ID含厂商和产品信息
  • 输入/输出电容最大8 pF

产品优势

  • 151年可靠数据保存
  • 可承受100万亿次写入
  • 即时写入无等待
  • 高速I2C传输数据快
  • 可直接替换串行EEPROM
  • 低功耗延长电池寿命
  • 2.0 V至3.6 V宽电压工作
  • 写保护防止误操作
  • 抗干扰保障稳定
  • 设备ID便于管理
  • 低电容支持高速总线
  • 灵活时序兼容新旧设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区