现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B256J-SXET

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B256J-SXET
CY15B256J-SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
推荐的
OPN
CY15B256J-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B256J-SXET是一款256 Kbit（32K × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，具有121年（85°C）数据保持和10万亿次读写耐久性。工作电压2.0 V至3.6 V，支持最高3.4 MHz I2C，活动电流500 μA（100 kHz），休眠电流12 μA。8引脚SOIC封装，符合AEC-Q100 Grade 1（–40°C至+125°C），支持无延迟写入，适用于汽车和工业等频繁、快速、可靠的非易失性存储场景。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM，32K×8结构
  • I2C串行接口最高3.4 MHz
  • NoDelay™写入，RAM级速度
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • 低功耗：500 μA工作，12 μA休眠
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工作温度：–40°C至+125°C
  • 设备ID含厂商和产品信息
  • 可直接替换串行EEPROM

产品优势

  • 实现即时可靠数据存储
  • 支持快速频繁数据记录
  • 消除写入延迟，适合实时系统
  • 写入寿命远超EEPROM
  • 数十年数据无需刷新
  • 降低系统功耗
  • 适应多种电压环境
  • 汽车环境下可靠运行
  • 简化设备识别与追溯
  • 轻松升级EEPROM设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }