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CY15B256Q-SXAT
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符合RoHS标准
无铅

CY15B256Q-SXAT

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CY15B256Q-SXAT
CY15B256Q-SXAT
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数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
OPN
CY15B256Q-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B256Q-SXAT是一款256 Kbit（32K × 8）汽车级串行F-RAM，支持最高40 MHz高速SPI接口。其读写耐久度高达10^14次，65°C下数据保持151年，适用于频繁数据记录和关键任务。工作电压2.0 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C，具备总线速度NoDelay™写入、先进写保护、低功耗，8引脚SOIC封装。

特性

  • 256-Kbit F-RAM，32K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™总线级写入
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 设备ID识别厂家和产品
  • 2.5 mA工作，150 μA待机，8 μA休眠
  • 低压工作：VDD 2.0-3.6 V
  • 工作温度：–40°C至+85°C
  • 输出/输入电容：8 pF/6 pF

产品优势

  • 实现高速频繁数据记录
  • 实时存储无写入延迟
  • 151年数据可靠保存
  • 可替换串行闪存/EEPROM
  • 降低系统功耗
  • 宽电压灵活应用
  • 多重保护保障数据安全
  • 简化设备识别与追踪
  • 恶劣环境下可靠运行
  • 支持高速SPI通信
  • 小封装节省板空间
  • 低电容支持高速信号

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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