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符合RoHS标准
无铅

CY15B256Q-SXE

数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B256Q-SXE
CY15B256Q-SXE
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kbx8
  • 认证标准
    Automotive (E)
  • 频率
    33 MHz
推荐的
OPN
CY15B256Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B256Q-SXE是一款256 Kbit（32K × 8）汽车级串行F-RAM，采用SPI接口，适用于频繁和快速数据记录的高耐久非易失性存储。支持最高33 MHz SPI操作，具备10万亿（10¹³）次读写循环，85°C下数据保持121年。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，低功耗、高级写保护和AEC-Q100 Grade 1认证，适用于汽车和工业领域的可靠存储。

特性

  • 256-Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™总线级即时写入
  • 最高33 MHz SPI接口
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 设备ID含厂商/产品信息
  • 5 mA工作，500 μA待机，12 μA休眠
  • VDD范围2.7 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 10^13次循环数据可靠
  • 121年数据保存防丢失
  • 即时写入无等待
  • 33 MHz SPI实现高速访问
  • 可直接替换闪存/EEPROM
  • SPI模式兼容性强
  • 写保护提升安全性
  • 块保护守护关键数据
  • 设备ID便于管理追踪
  • 低功耗延长电池寿命
  • 宽电压适应多设计
  • 高温环境下稳定运行

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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