现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B256Q-SXET

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B256Q-SXET
CY15B256Q-SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32K x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 频率
    33 MHz
推荐的
OPN
CY15B256Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B256Q-SXET是一款256 Kbit（32K × 8）汽车级串行F-RAM存储器，具备10^13次读写耐久性和85°C下121年数据保持力。工作电压2.7 V至3.6 V，支持高达33 MHz的SPI接口，符合AEC-Q100 Grade 1（–40°C至+125°C）标准。具备NoDelay™写入、5 mA低工作电流、500 μA待机、12 μA休眠电流及硬件/软件写保护。8引脚SOIC封装，适用于高频写入的汽车和工业数据记录应用。

特性

  • 256-Kbit非易失性F-RAM存储器
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™总线级即时写入
  • 最高33 MHz SPI接口
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1/4、1/2或全阵列块保护
  • 设备ID含厂商/产品信息
  • 5 mA工作，500 μA待机，12 μA休眠
  • VDD范围2.7 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 10^13次循环数据可靠
  • 121年数据保存防丢失
  • 即时写入无等待
  • 33 MHz SPI实现高速访问
  • 可直接替换闪存/EEPROM
  • SPI模式兼容性强
  • 写保护提升安全性
  • 块保护守护关键数据
  • 设备ID便于管理追踪
  • 低功耗延长电池寿命
  • 宽电压适应多设计
  • 高温环境下稳定运行

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }