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CY15E004J-SXAT

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CY15E004J-SXAT
CY15E004J-SXAT
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商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
OPN
CY15E004J-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E004J-SXAT是一款4 Kbit（512×8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，工作电压4.5 V至5.5 worldwide，支持1 MHz总线速率。具备1e14次读写循环、65°C下151年数据保存和NoDelay™实时写入。低功耗、高数据完整性，非常适用于汽车等需频繁快速写入的非易失性存储应用。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512 x 8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保持
  • I2C接口，最高1 MHz
  • NoDelay™即时写入
  • 100 μA最大工作电流@100 kHz
  • 4 μA典型，10 μA最大待机电流
  • VDD范围4.5 V至5.5 V
  • –40°C至+85°C工作温度
  • WP引脚写保护
  • 施密特触发抗噪输入
  • 直接替换I2C EEPROM

产品优势

  • 实现高频可靠数据记录
  • 消除写入延迟提升速度
  • 数据数十年无需刷新
  • 降低运行功耗
  • 待机功耗极低
  • 恶劣环境下稳定运行
  • 写保护保障数据安全
  • 抗噪通信更可靠
  • 简单升级替换EEPROM
  • 写后无需轮询等待
  • 支持传统与高速I2C
  • 降低系统复杂度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }