现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15E004J-SXE

数据手册
封装

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CY15E004J-SXE
CY15E004J-SXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
CY15E004J-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E004J-SXE是一款4 Kbit（512×8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，具备10万亿次读写耐久性和在85°C下121年数据保持。工作电压4.5 V至5.5 V，支持最高1 MHz I2C时钟，活动和待机电流低。通过AEC-Q100 Grade 1认证（–40°C至+125°C），可直接替代串行EEPROM，支持NoDelay™写入，适用于频繁数据记录和汽车电子。

特性

  • 4-Kbit非易失性F-RAM，512×8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 121年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • 高达1 MHz I2C串行接口
  • 支持100 kHz、400 kHz I2C时序
  • 100 kHz时250 μA工作电流
  • 典型待机电流40 μA
  • VDD范围：4.5 V至5.5 V
  • 工作温度：–40°C至+125°C
  • 人体模型ESD：2 kV
  • 闩锁电流抗扰度>140 mA

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 支持频繁快速数据记录
  • 121年数据长期保存
  • 无写入延迟，系统响应快
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 兼容新旧I2C设计
  • 低工作电流降低功耗
  • 待机模式节能
  • 宽VDD适应多种系统
  • 适应严苛温度环境
  • ESD/闩锁抗扰提升可靠性
  • 高耐久性减少维护

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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