现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15E016J-SXET

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15E016J-SXET
CY15E016J-SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
CY15E016J-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E016J-SXET是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，适用于高耐久性非易失性存储需求。支持10万亿次读写循环，85°C下数据保持121年，无写入延迟且功耗低。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至+125°C，通过AEC-Q100 Grade 1和RoHS认证，适用于严苛环境下的可靠高速数据存储。

特性

  • 16 Kbit非易失性F-RAM，2K×8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • I2C接口最高1 MHz
  • 支持100 kHz、400 kHz传统时序
  • 100 kHz时250 μA低工作电流
  • 40 μA（典型）低待机电流
  • 宽VDD：4.5 V至5.5 V
  • 工作温度：–40°C至+125°C
  • 高ESD：2 kV HBM，500 V CDM
  • 闩锁电流>140 mA

产品优势

  • 无限耐久适合频繁数据记录
  • 85°C下121年可靠保存
  • 即时写入无等待
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 低功耗降低系统能耗
  • 宽电压适应多样设计
  • 适用于严苛汽车环境
  • 高ESD/闩锁提升可靠性
  • 无需数据轮询或写入延迟
  • 兼容新旧I2C系统
  • 适合工业和汽车应用
  • 写入次数无忧更少故障

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }