现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15E016Q-SXA

数据手册
封装

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CY15E016Q-SXA
CY15E016Q-SXA
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15E016Q-SXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2425
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2425
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E016Q-SXA是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级串行F-RAM，具备高耐久性和高速SPI接口。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C，支持100万亿次读写及65°C下151年数据保存。最高20 MHz SPI、NoDelay™写入、先进写保护、低工作电流和8引脚SOIC封装，适合汽车和工业等需频繁快速写入及高数据完整性的应用。

特性

  • 16-Kbit非易失性F-RAM，2K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，支持总线速度
  • SPI接口最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 有源电流250μA@1 MHz
  • 典型待机电流4μA
  • 宽VDD：4.5 V至5.5 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 支持SPI模式0和3
  • 1/4、1/2或全阵列块保护

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 频繁写入无磨损
  • 无写入延迟和轮询
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 20 MHz实现系统高速
  • 防止误写保护关键数据
  • 有源模式下节能
  • 待机模式下省电
  • 适应恶劣环境
  • SPI多模式灵活集成
  • 简化存储管理
  • 一颗芯片减少物料成本

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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