现货，推荐
符合RoHS标准

CY15E064Q-SXET

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15E064Q-SXET
CY15E064Q-SXET
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15E064Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15E064Q-SXET是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM，采用SPI接口，具备10万亿（10¹³）次高耐久读写和85°C下121年数据保持能力。工作电压4.5 V至5.5 V，支持最高16 MHz SPI时钟，8引脚SOIC封装。符合AEC-Q100 Grade 1标准，强大的写保护机制，适用于频繁、快速非易失性数据存储的汽车和工业应用。

特性

  • 64 Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 10¹³次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保存
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高16 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD工作电压4.5–5.5 V
  • 工作温度–40°C至+125°C
  • 直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 121年可靠数据存储
  • 10¹³次循环支持频繁记录
  • 即时写入防止数据丢失
  • 16 MHz SPI实现快速传输
  • 低功耗提升系统效率
  • 宽电压兼容多平台
  • –40°C至+125°C环境运行
  • 直接替换简化升级
  • 硬件/软件保护数据安全
  • 无写入延迟提升实时性
  • 高耐久降低维护成本
  • 灵活SPI模式易集成

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }