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CY15V104QSN-108LPXIT

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CY15V104QSN-108LPXIT
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商品详情

  • 密度
    4096 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    1.71 V to 1.89 V
  • 工作电压
    1.71 V to 1.89 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
OPN
CY15V104QSN-108LPXIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15V104QSN-108LPXIT是一款4 Mbit EXCELON™ Ultra铁电RAM（F-RAM），采用四路SPI接口，512K × 8结构。工作电压1.71 V至1.89 V，温度范围–40°C至+85°C，支持最高108 MHz SDR和54 MHz DDR SPI。具备近乎无限的耐久（100万亿次）、151年数据保持、瞬时写入、ECC和CRC数据保护及低功耗，适用于数据记录和工业控制。

特性

  • 4 Mbit F-RAM，512K × 8结构
  • 10^14次读写耐久
  • 151年数据保存
  • 四/双/扩展SPI协议
  • SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
  • 支持XIP直接执行
  • 硬件/软件写保护
  • 内置ECC和CRC数据完整性
  • 唯一设备及序列号
  • 专用256字节特殊区
  • 低工作电流10 mA，待机110 µA
  • 深度掉电与休眠模式

产品优势

  • 151年数据可靠保存
  • 写入无延迟，数据即刻存储
  • 高频写入无磨损风险
  • 108 MHz SPI快速访问
  • 灵活接口易于集成
  • ECC/CRC保障数据完整
  • 写保护提升安全性
  • 唯一ID便于追溯
  • 特殊区耐回流焊
  • 低功耗适合节能设计
  • 休眠模式延长电池寿命
  • XIP支持直接代码执行

应用

文档

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